Microchip расширяет применение высоковольтных SiC-модулей питания с помощью новых драйверов затворов mSiC

Компания Microchip Technology Inc. способствует более широкому использованию карбида кремния (SiC) в приложениях, требующих среднего и высокого напряжения, таких как транспорт, электрические сети и большегрузные автомобили, выпустив драйвер затвора mSiC 3,3 кВ XIFM plug-and-play. Этот драйвер, оснащенный технологией Augmented Switching, готов к использованию сразу же с предустановленными настройками модуля, что значительно упрощает процесс разработки.

Цифровой драйвер затвора 3,3 кВ XIFM упрощает процесс внедрения, устраняя необходимость в длительных этапах проектирования и тестирования. Это компактное устройство с цифровым управлением, интегрированное в источник питания, использует волоконно-оптический интерфейс для повышения помехоустойчивости. Оно имеет предустановленные профили привода затвора для повышения производительности модуля и включает усиленную изоляцию 10,2 кВ между первичными и вторичными элементами.

Устройство также имеет функции мониторинга и защиты, такие как контроль температуры и звена постоянного тока, блокировка пониженного напряжения (UVLO), блокировка повышенного напряжения (OVLO) и защита от короткого замыкания/перегрузки по току (DESAT). Кроме того, устройство соответствует стандартам EN 50155, что очень важно для железнодорожных приложений.

Вице-президент подразделения карбида кремния компании Microchip, отметил, что это решение типа plug-and-play может сократить время цикла проектирования на 50 % по сравнению с традиционными аналоговыми решениями, подчеркнув роль драйвера затвора mSiC на 3,3 кВ в ускорении внедрения высоковольтных технологий с широкой полосой пропускания в энергосистемах.